+7 (499) 113-42-74

Работаем по всей России

Закрыть
Закрыть

ОКС. Общероссийский классификатор стандартов

База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовМЕТРОЛОГИЯ И ИЗМЕРЕНИЯ. ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯЛинейные и угловые измерения *Включая геометрические характеристики (GPS)Линейные и угловые измерения в целом

17.040.01. Линейные и угловые измерения в целом

1 2 3 4 5

  • ГОСТ Р 8.644-2008.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Nanometer range relief measures with trapezoidal profile of elements. Methods for calibration
    Настоящий стандарт распространяется на рельефные меры нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов, линейные размеры и материал для изготовления которых соответствуют требованиям ГОСТ Р 8.628. Рельефные меры применяют для измерения линейных размеров в диапазоне от 10 в ст. минус 9 до 10 в ст. минус 6 м.
    Настоящий стандарт устанавливает методику калибровки рельефных мер
  • ГОСТ Р 8.644-2008.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Nanometer range relief measures with trapezoidal profile of elements. Methods for calibration
    Настоящий стандарт распространяется на рельефные меры нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов, линейные размеры и материал для изготовления которых соответствуют требованиям ГОСТ Р 8.628. Рельефные меры применяют для измерения линейных размеров в диапазоне от 10 в ст. минус 9 до 10 в ст. минус 6 м.
    Настоящий стандарт устанавливает методику калибровки рельефных мер
  • ГОСТ Р 8.644-2008.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Nanometer range relief measures with trapezoidal profile of elements. Methods for calibration
    Настоящий стандарт распространяется на рельефные меры нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов, линейные размеры и материал для изготовления которых соответствуют требованиям ГОСТ Р 8.628. Рельефные меры применяют для измерения линейных размеров в диапазоне от 10 в ст. минус 9 до 10 в ст. минус 6 м.
    Настоящий стандарт устанавливает методику калибровки рельефных мер
  • ГОСТ Р 8.696-2010.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Interplanar spacings in crystals and the intensity distribution in diffraction patterns. Method for measurement by means of an electron diffractometer
    Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и распределений интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных при дифракции пучка электронов на кристаллах с помощью электронного дифрактометра.
    Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 20,00 нм и распределения токовых интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных от кристаллов в диапазоне от 10 в ст. минус14 до 10 в ст. минус 6 А.
    Настоящий стандарт не устанавливает методику определения типа элементарной решетки кристалла и индекса Миллера плоскостей кристалла, между которыми вычисляют расстояния
  • ГОСТ Р 8.696-2010.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Interplanar spacings in crystals and the intensity distribution in diffraction patterns. Method for measurement by means of an electron diffractometer
    Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и распределений интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных при дифракции пучка электронов на кристаллах с помощью электронного дифрактометра.
    Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 20,00 нм и распределения токовых интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных от кристаллов в диапазоне от 10 в ст. минус14 до 10 в ст. минус 6 А.
    Настоящий стандарт не устанавливает методику определения типа элементарной решетки кристалла и индекса Миллера плоскостей кристалла, между которыми вычисляют расстояния
  • ГОСТ Р 8.696-2010.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Interplanar spacings in crystals and the intensity distribution in diffraction patterns. Method for measurement by means of an electron diffractometer
    Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и распределений интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных при дифракции пучка электронов на кристаллах с помощью электронного дифрактометра.
    Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 20,00 нм и распределения токовых интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных от кристаллов в диапазоне от 10 в ст. минус14 до 10 в ст. минус 6 А.
    Настоящий стандарт не устанавливает методику определения типа элементарной решетки кристалла и индекса Миллера плоскостей кристалла, между которыми вычисляют расстояния
  • ГОСТ Р 8.697-2010.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Interpenar spacings in crystals. Method for measurement by means of a transmission electron microscope
    Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и иных образцах толщиной не более 200 нм с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
    Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 10,00 нм в режиме дифракции и в диапазоне линейных размеров от 0,2 до 10,0 нм в режиме изображения
  • ГОСТ Р 8.697-2010.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Interpenar spacings in crystals. Method for measurement by means of a transmission electron microscope
    Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и иных образцах толщиной не более 200 нм с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
    Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 10,00 нм в режиме дифракции и в диапазоне линейных размеров от 0,2 до 10,0 нм в режиме изображения
  • ГОСТ Р 8.697-2010.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах. Методика выполнения измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Interpenar spacings in crystals. Method for measurement by means of a transmission electron microscope
    Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и иных образцах толщиной не более 200 нм с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
    Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 10,00 нм в режиме дифракции и в диапазоне линейных размеров от 0,2 до 10,0 нм в режиме изображения
  • ГОСТ Р 8.698-2010.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Государственная система обеспечения единства измерений. Размерные параметры наночастиц и тонких пленок. Методика выполнения измерений с помощью малоуглового рентгеновского дифрактометра
    State system for ensuring the uniformity of measurements. Dimensional parameters of nanoparticles and thin films. Method for measurement by means of a small angle X-ray scattering diffractometer
    Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения следующих измерений с помощью автоматического рентгеновского малоуглового дифрактометра:
    - максимальных размеров и электронных радиусов инерции наночастиц в монодисперсных системах в диапазоне от 1 до 100 нм;
    - распределения наночастиц по размерам в полидисперсных системах в диапазоне от 1 до 100 нм;
    - общей толщины и размера периода повторения слоев в многослойных пленках толщиной от 1 до 100 нм.
    Настоящий стандарт распространяется на:
    - материалы, содержащие системы наночастиц со среднеарифметическим расстоянием между ними не менее 10 максимальных линейных размеров, с однородной электронной плотностью, большей или меньшей электронной плотности окружающей их среды;
    - многослойные пленки с известным числом одинаковых групп слоев, изготовленные на твердых плоских подложках

1 2 3 4 5