+7 (499) 113-42-74

Работаем по всей России

Закрыть
Закрыть

ОКС. Общероссийский классификатор стандартов

База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКАПолупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1537 38 39 40 41

  • ГОСТ 18604.16-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
    Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals
    Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
  • ГОСТ 18604.16-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
    Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals
    Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
  • ГОСТ 18604.16-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
    Transistors bipolar. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals
    Настоящий стандарт распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала
  • ГОСТ 18604.19-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения
    Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения
  • ГОСТ 18604.19-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения
    Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения
  • ГОСТ 18604.19-88.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Метод измерения граничного напряжения
    Bipolar transistors . Method of measuring threshold voltage
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения
  • ГОСТ 18604.20-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте
    Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума:
    сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц;
    способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц
  • ГОСТ 18604.20-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте
    Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума:
    сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц;
    способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц
  • ГОСТ 18604.20-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте
    Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума:
    сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до 100000 Гц;
    способом удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц
  • ГОСТ 18604.22-78.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер
    Transistors bipolar. Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1537 38 39 40 41