+7 (499) 113-42-74

Работаем по всей России

Закрыть
Закрыть
Главная / База ГОСТов РФ

ОКС. Общероссийский классификатор стандартов

База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

31.080. Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 … 37 38 39 40 41 →

  • ГОСТ 18604.26-85.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров
    Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
    Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения
  • ГОСТ 18604.27-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
    Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
  • ГОСТ 18604.27-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
    Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
  • ГОСТ 18604.27-86.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)
    Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current
    Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения
  • ГОСТ 18986.0-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
    Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
  • ГОСТ 18986.0-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
    Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
  • ГОСТ 18986.0-74.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения
    Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров
  • ГОСТ 18986.1-73.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
    Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока.
    Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки
  • ГОСТ 18986.1-73.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
    Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока.
    Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки
  • ГОСТ 18986.1-73.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока
    Semiconductor diodes. Method for measuring direct reverse current
    Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного тока.
    Стандарт не распространяется на выпрямительные блоки

← 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 … 37 38 39 40 41 →