+7 (499) 113-42-74

Работаем по всей России

Закрыть
Закрыть

ОКС. Общероссийский классификатор стандартов

База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОНИКА

31. ЭЛЕКТРОНИКА

1 2 3 4 579 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89245 246 247 248 249

  • ГОСТ 20398.10-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения тока стока в импульсном режиме
    Field-effect transistors. Drain current for Vgs=0 impulse measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения тока стока, начального тока стока и остаточного тока стока, превышающего 100 мА в импульсном режиме
  • ГОСТ 20398.11-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
    Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
  • ГОСТ 20398.11-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
    Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
  • ГОСТ 20398.11-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения э.д.с. шума
    Field-effect transistors. Short-circuit equivalent input noise voltage measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения э.д.с. шума
  • ГОСТ 20398.12-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
    Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
  • ГОСТ 20398.12-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
    Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
  • ГОСТ 20398.12-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока
    Field-effect transistors. Drain residual current measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения остаточного тока стока, не превышающего 100 мА
  • ГОСТ 20398.13-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
    Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
  • ГОСТ 20398.13-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
    Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора
  • ГОСТ 20398.13-80.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток-исток
    Field-effect transistors. Drain source resistance measurement technique
    Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения сопротивления сток-исток в открытом состоянии транзистора

1 2 3 4 579 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89245 246 247 248 249