+7 (499) 113-42-74

Работаем по всей России

Закрыть
Закрыть

ОКС. Общероссийский классификатор стандартов

База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОТЕХНИКАПолупроводниковые материалы

29.045. Полупроводниковые материалы

1 2 3 4 5 6

  • ГОСТ 26239.0-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
    Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца
  • ГОСТ 26239.0-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
    Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца
  • ГОСТ 26239.0-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
    Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца
  • ГОСТ 26239.1-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
  • ГОСТ 26239.1-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
  • ГОСТ 26239.1-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
  • ГОСТ 26239.2-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
  • ГОСТ 26239.2-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
  • ГОСТ 26239.2-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
    Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
  • ГОСТ 26239.3-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
    Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии

1 2 3 4 5 6