+7 (499) 113-42-74

Работаем по всей России

Закрыть
Закрыть

ОКС. Общероссийский классификатор стандартов

База ГОСТов РФ

Общероссийский классификатор стандартовЭЛЕКТРОТЕХНИКАПолупроводниковые материалы

29.045. Полупроводниковые материалы

1 2 3 4 5 6

  • ГОСТ 26239.3-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
    Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
  • ГОСТ 26239.3-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора
    Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
    Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
  • ГОСТ 26239.5-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
    Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01
  • ГОСТ 26239.5-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
    Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01
  • ГОСТ 26239.5-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей
    Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
    Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
    Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01
  • ГОСТ 26239.6-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана
    Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination
    Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии
  • ГОСТ 26239.6-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана
    Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination
    Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии
  • ГОСТ 26239.6-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана
    Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination
    Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии
  • ГОСТ 26239.7-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота
    Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination
    Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами
  • ГОСТ 26239.7-84.
    действующий
    от: 01.08.2013
    Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота
    Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination
    Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами

1 2 3 4 5 6